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MBRP1545N — Schottky Barrier Rectifier
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MBRP1545N Rev. B0 1
December 2009
MBRP1545N
Schottky Barrier Rectifier
Features
? Low forward voltage drop
? High frequency properties and switching speed
?
Guard ring for over-voltage protection
Applications
? Switched mode power supply
? Freewheeling diodes
Absolute Maximum Ratings
TA=25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
(per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%
Symbol ParameterValueUnits
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 45 V
VR
Maximum DC Reverse Voltage 45 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current @ T
C
= 100
°C15 A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
150 A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature -65 to +150
°C
Symbol Parameter Value Units
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode) 3.0
°C/W
Symbol Parameter Value Units
VFM *
Maximum Instantaneous Forward Voltage
I
F
= 7.5A
I
F
= 7.5A
I
F
= 15A
I
F
= 15A
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
0.65
0.57
0.80
0.65
V
IRM *
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated VR
TC
= 25
°
C
TC
= 125
°C
1
40
mA
3.Anode
1.Anode
2. Cathode
TO-220
1 2 3
TO-220(Jedec)
1
2
3
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